开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模块，采用业界公认的汽车封装，针对牵引逆变器和电机驱动器进行了优化。为了提供汽车级HPDSiC功率模块
2023-02-20 16:26
SiCMOSFET都必须提供非常快速的短路保护，但现代IGBT的短路要求更为适中。例如，TRENCHSTOP™ IGBT7允许8 μs（工业驱动@150°C），EDT2 IGBT（汽车传动系统）需要3 μs
2023-02-22 16:42
宽带隙器件的技术优势实际应用中的宽带隙功率转换
2021-02-22 08:14
均采用 TO-247-4L 封装，其中包括一个驱动器发射极/源极引脚。两种情况均仅使用单极栅极驱动：IGBT为15V/0V，SiCMOSFET为18V/0V。表 1 显示了使用相应条件执行的测试列表
2023-02-21 16:36
如何设计电路对大功率电灯或电动机上电流进行调节
2021-03-11 07:53
什么是堆叠式共源共栅？低阻抗功率半导体开关有哪些关键特性？低阻抗功率半导体开关有哪些应用优势？
2021-06-26 06:14
