电子发烧友

基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管（MOSFETs）为电力转换开关设备的性能优化系数（FOM）带来了显著提升。这让系统性能得以凸显，提高了多种应用的效率和功率密度，并降低了整体系统的成本。

2023-12-01 14:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号

世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。

2019-04-06 09:53

SiCmosfet三相全桥逆变电路中，同一桥臂上下功率器件容易受器件寄生参数的影响而互相产生干扰，该现象称为桥臂串扰。这种现象容易造成桥臂直通或者烧毁功率器件。SiCMOSFET与SiIGBT相比

2021-05-15 15:00

/摘要/并联SiCMOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiCMOSFET分流影响的理论分析和数学计算。提出了基于SPICE模型

2024-07-25 08:14 英飞凌工业半导体 企业号

在现代电力电子技术中，氮化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的性能而受到广泛关注。SiCMOSFET以其高效率、高温耐受性和高频性能等特点，成为新一代电力电子器件的代表

2025-01-06 17:01

，然后详细讲解如何正确理解和应用驱动器的相关功能。现在市场上功率半导体器件IGBT，MOSFET，SiCMOSFET和GaN，大都是电压栅控器件，驱动起来比电流型

2025-04-07 18:06 英飞凌工业半导体 企业号

在这些和其他新应用中的增长至关重要。在本文中，我们将重点介绍SKpowertech旗下的SiCMOSFET的性能优势，该产品现在包括更广泛的产品组合，其中包括12

2024-07-15 17:01 深圳市浮思特科技有限公司 企业号

在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiCMOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的电机应用中，SiC仍然具有不可比拟的优势

2023-12-16 08:14 英飞凌工业半导体 企业号

(Trench)MOSFET，部分原因是基于传统硅功率器件的经验，认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而，在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前，至关重要的是要考虑下一代SiCMOSFET技术的进步，这些技术很可能会带来好处，同时避免其固有风险。

2024-12-26 09:55

难以满足这些应用的需求。因此，大功率IGBT和SiCMOSFET的并联设计成为了一种有效的解决方案。本文将介绍并联设计的关键要点，并推荐安森美(onsemi)的几款相应产品。

2024-08-01 15:27