基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管（MOSFETs）为电力转换开关设备的性能优化系数（FOM）带来了显著提升。这让系统性能得以凸显，提高了多种应用的效率和功率密度，并降低了整体系统的成本。
2023-12-01 14:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。
2019-04-06 09:53
SiCmosfet三相全桥逆变电路中，同一桥臂上下功率器件容易受器件寄生参数的影响而互相产生干扰，该现象称为桥臂串扰。这种现象容易造成桥臂直通或者烧毁功率器件。SiCMOSFET与SiIGBT相比
2021-05-15 15:00
在现代电力电子技术中，氮化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的性能而受到广泛关注。SiCMOSFET以其高效率、高温耐受性和高频性能等特点，成为新一代电力电子器件的代表
2025-01-06 17:01
在这些和其他新应用中的增长至关重要。在本文中，我们将重点介绍SKpowertech旗下的SiCMOSFET的性能优势，该产品现在包括更广泛的产品组合，其中包括12
2024-07-15 17:01 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
(Trench)MOSFET，部分原因是基于传统硅功率器件的经验，认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而，在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前，至关重要的是要考虑下一代SiCMOSFET技术的进步，这些技术很可能会带来好处，同时避免其固有风险。
2024-12-26 09:55
难以满足这些应用的需求。因此，大功率IGBT和SiCMOSFET的并联设计成为了一种有效的解决方案。本文将介绍并联设计的关键要点，并推荐安森美(onsemi)的几款相应产品。
2024-08-01 15:27
