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基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管（MOSFETs）为电力转换开关设备的性能优化系数（FOM）带来了显著提升。这让系统性能得以凸显，提高了多种应用的效率和功率密度，并降低了整体系统的成本。

2023-12-01 14:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号

世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。

2019-04-06 09:53

SiCmosfet三相全桥逆变电路中，同一桥臂上下功率器件容易受器件寄生参数的影响而互相产生干扰，该现象称为桥臂串扰。这种现象容易造成桥臂直通或者烧毁功率器件。SiCMOSFET与SiIGBT相比

2021-05-15 15:00

/摘要/并联SiCMOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiCMOSFET分流影响的理论分析和数学计算。提出了基于SPICE模型

2024-07-25 08:14 英飞凌工业半导体 企业号

在现代功率电子技术中，MOSFET(场效应晶体管)是不可或缺的关键组件。它广泛应用于开关电源、逆变器、电动汽车等领域。而随着功率需求和系统效率的不断提高，SiCMOSFET(碳化硅金属氧化物半导体

2025-09-04 14:46 深圳市浮思特科技有限公司 企业号

在现代电力电子技术中，氮化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的性能而受到广泛关注。SiCMOSFET以其高效率、高温耐受性和高频性能等特点，成为新一代电力电子器件的代表

2025-01-06 17:01

在功率电子领域，碳化硅（SiC）器件以其优异的性能正逐渐取代传统硅基器件。然而，SiCMOSFET和SiC二极管在实际应用中却面临一种特殊的可靠性挑战——双极退化。这一现象直接影响着器件的长期稳定性

2025-10-15 16:22 金鉴实验室 企业号

，然后详细讲解如何正确理解和应用驱动器的相关功能。现在市场上功率半导体器件IGBT，MOSFET，SiCMOSFET和GaN，大都是电压栅控器件，驱动起来比电流型

2025-04-07 18:06 英飞凌工业半导体 企业号

在这些和其他新应用中的增长至关重要。在本文中，我们将重点介绍SKpowertech旗下的SiCMOSFET的性能优势，该产品现在包括更广泛的产品组合，其中包括12

2024-07-15 17:01 深圳市浮思特科技有限公司 企业号

摘要每个功率开关都需要一个驱动电路，这是必要的，但容易被忽视。栅极驱动电路对功率器件的开关过程有着非常重要的影响，本文分析了驱动电路的输出能力和杂散参数这两个参数。本文以SiCMOSFET关断过程为基础，分析了与驱动电路输出能力和杂散参数相关的影响因素，并通过理论分析和仿真结果进行验证。此外，还列

2025-08-22 17:19 英飞凌工业半导体 企业号