导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通阻抗很低，能在恶劣的环境下很好的工作。
2019-06-09 17:44
世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。
2019-04-06 09:53
基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管（MOSFETs）为电力转换开关设备的性能优化系数（FOM）带来了显著提升。这让系统性能得以凸显，提高了多种应用的效率和功率密度，并降低了整体系统的成本。
2023-12-01 14:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
来源：电气技术 清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室的研究人员朱义诚、赵争鸣、王旭东、施博辰，在2017年第12期《电工技术学报》上撰文指出，相较于硅（Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性，对其瞬态建模的精度提出更高的要求。 通过功率开关器件瞬态过程的时间分段、机理解耦与参数解耦，突出器件开关特性，弱化物理机理，
2022-12-09 10:22
工业电机需要可靠、高效的电源解决方案。这款采用SiC（碳化硅）MOSFET技术设计的三相逆变器代表着在满足现代工业应用的功率和效率需求方面迈出了重要一步。SiCMOSFET因其降低导通电阻和增加击穿
2024-11-15 17:30
人们普遍认为，SiCMOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统功率半导体封装的限制，在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力。在
2021-01-27 15:22
来源：宽禁带半导体技术创新联盟 对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用，碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT 相比具有许多优势，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的导通电阻。但是，SiC MOSFET 也存在自己的一系列问题，包括稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡，以及故障处理等。 对设计人员而言，成功应用 SiC MOSFET 的关键在于深入了解 SiC MOSFET 独有的工作特征及其对设计的影响。本文将提供此类见解，以及实现建议和解决方
2022-12-09 11:52
据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49
SiCmosfet三相全桥逆变电路中，同一桥臂上下功率器件容易受器件寄生参数的影响而互相产生干扰，该现象称为桥臂串扰。这种现象容易造成桥臂直通或者烧毁功率器件。SiCMOSFET与SiIGBT相比
2021-05-15 15:00
