电子发烧友
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导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通阻抗很低，能在恶劣的环境下很好的工作。
2019-06-09 17:44
基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管（MOSFETs）为电力转换开关设备的性能优化系数（FOM）带来了显著提升。这让系统性能得以凸显，提高了多种应用的效率和功率密度，并降低了整体系统的成本。
2023-12-01 14:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。
2019-04-06 09:53
来源：电气技术 清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室的研究人员朱义诚、赵争鸣、王旭东、施博辰，在2017年第12期《电工技术学报》上撰文指出，相较于硅（Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性，对其瞬态建模的精度提出更高的要求。 通过功率开关器件瞬态过程的时间分段、机理解耦与参数解耦，突出器件开关特性，弱化物理机理，
2022-12-09 10:22
下面给出的电路图是在桥式结构中使用 SiC MOSFET 时最简单的同步式 boost 电路。该电路中使用的 SiC MOSFET 的高边（HS）和低边（LS）是交替导通的，为了防止 HS 和 LS 同时导通，设置了两个 SiC MOSFET 均为 OFF 的死区时间。右下方的波形表示其门极信号（VG）时序。
2020-12-07 22:44
工业电机需要可靠、高效的电源解决方案。这款采用SiC（碳化硅）MOSFET技术设计的三相逆变器代表着在满足现代工业应用的功率和效率需求方面迈出了重要一步。SiCMOSFET因其降低导通电阻和增加击穿
2024-11-15 17:30
人们普遍认为，SiCMOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统功率半导体封装的限制，在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力。在
2021-01-27 15:22
随着新能源市场的爆发，电动汽车，光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiCMOSFET的大规模应用后，在近几年可以看到，国内外各大厂商都密集地加入到SiC
2024-01-19 14:53
据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49
