LPCVD是低压化学气相沉积（low-pressurechemical vapor deposition）的缩写，低压主要是相对于常压的APCVD而言，主要区别点就是工作环境的压强，LPCVD的压强通常只有10~1000Pa，而APCVD压强约为101.3KPa。
2024-01-22 10:38
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反应温度较高，氢原子往往从氮化硅薄膜中去除，因此反应物中氢的含量较低。氮化硅中主要由硅和氮元素组成。而PECVD反应
2025-02-07 09:44
本文围绕单晶硅、多晶硅与非晶硅三种形态的结构特征、沉积技术及其工艺参数展开介绍，重点解析LPCVD方法在多晶硅制备中的优势与挑战，并结合不同工艺条件对材料性能的影响，帮助读者深入理解硅材料在先进微纳制造中的应用与工艺演进路径。
2025-04-09 16:19
本文介绍了通过LPCVD制备氮化硅低应力膜 氮化硅膜在MEMS中应用十分广泛，可作为支撑层、绝缘层、钝化层和硬掩膜使用。SiN极耐化学腐蚀，疏水性使它可以作为MEMS压力传感器、MEMS流量
2025-05-09 10:07
铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示了氮化硅在铜芯片中作为金属沉积前的电介质层（PMD）、金属层间电介质层（IMD）和钝化保护电介质层（PD）的应用情况。
2022-10-17 09:29
电子发烧友网报道（文/莫婷婷）近期，中微公司发布了2024年前三季度报告，财报显示公司实现营收 55.07 亿元，同比增长36.3%。其中刻蚀设备收入 44.13 亿元，同比增长约 53.77%。第三季 度单季 的刻蚀设备收入达到 17.15 亿元，较上年同期增长 49.41%。 产品交付和产值再创历史新高，中微公司预计 2024 年预计新增订单在 110-130 亿元。 中微公司的主要产品包括刻蚀设备、MOCVD 设备、薄膜沉积设备，以及VOC 设备等其他设备。2024 年前三季度，公司 等离子刻蚀设
2024-11-07 00:03
优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。
2024-01-22 09:32
低热量化学气相工艺制备氮化硅美国Aviza工艺公司开发出一种低温化学气相沉积工艺(LPCVD)，可在500℃左右进行氮化硅沉积。这个工艺使用一
2009-06-12 21:08
TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约 12 步左右。从技术路径角度：LPCVD 方式为目前量产的主流工艺，预计 PECVD 路线有望成为未来新方向。
2023-12-26 14:59
