可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反应温度较高，氢原子往往从氮化硅薄膜中去除，因此反应物中氢的含量较低。氮化硅中主要由硅和氮元素组成。而PECVD反应
2025-02-07 09:44
优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。
2024-01-22 09:32
TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约 12 步左右。从技术路径角度：LPCVD 方式为目前量产的主流工艺，预计 PECVD 路线有望成为未来新方向。
2023-12-26 14:59
MEMS表面微机械加工工艺是指所有工艺都是在圆片表面进行的MEMS制造工艺。表面微加工中，采用低压化学气相淀积（LPCVD）这一类方法来获得作为结构单元的薄膜。表面微加工工艺采用若干淀积层来制作结构
2021-02-11 17:38
