改变传感器可动极板的结构是解决MEMS电容式压力传感器信号输出与压力输入呈非线性关系问题的方法之一。设计了一种新型结构电容式压力传感器，其可动极板是LPCVD氮化硅构成的一个方形薄膜，薄膜中心到边缘
2021-04-08 14:29
deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应
2019-08-16 11:09
和 6 英寸晶片具有 100 纳米 LPCVD 氮化物层掩蔽材料。晶片在一侧用光刻法进行图案化，然后在工艺流程中通过干法蚀刻氮化物和/或热氧化物层以给出所需的图案略III. 电阻结果与讨论 略IV.
2021-07-19 11:03
缺少的一个环节。低压化学气相淀积系统LPCVD工艺在衬底表面淀积一层均匀的介质薄膜，用作微机械结构层材料、牺牲层、绝缘层、掩模材料，LPCVD工艺淀积的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀积采用
2018-09-03 09:31
(Low Pressure CVD；LPCVD) 为进行50片或更多晶圆之批次量产，炉管内之晶圆势必要垂直密集地竖放于晶舟上，这明显产生沉积薄膜之厚度均匀性问题；因为平板边界层问题的假设已不
2011-09-23 14:41
(thickness uniformity)不佳。2、低压化学气相沉积 (Low Pressure CVD；LPCVD)为进行50片或更多晶圆之批次量产，炉管内之晶圆势必要垂直密集地竖放于晶舟上，这明显产生沉积薄膜之
2012-09-16 20:22
性(wafer to wafer)，同样测得最大值和最小值和平均值再计算均匀性。245) USG (Undoped SiO2)即没有搀杂的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉积在BPSG下面，以防
2020-02-17 12:20
)「常壓化學气相沈積（APCVD）」；(2)「低壓化學气相沈積（LPCVD）」；(3)「電漿輔助化學气相沈積（PECVD）」 较为常见的CVD薄膜包括有：■二气化硅（通常直接称为氧化层）■氮化硅
2011-09-23 14:43
