上华的LPCVD资料，感觉还是有点用处的，大家都学习一下
2015-04-27 09:49
LPCVD是低压化学气相沉积（low-pressurechemical vapor deposition）的缩写，低压主要是相对于常压的APCVD而言，主要区别点就是工作环境的压强，LPCVD的压强通常只有10~1000Pa，而APCVD压强约为101.3KPa。
2024-01-22 10:38
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反应温度较高，氢原子往往从氮化硅薄膜中去除，因此反应物中氢的含量较低。氮化硅中主要由硅和氮元素组成。而PECVD反应
2025-02-07 09:44
本文围绕单晶硅、多晶硅与非晶硅三种形态的结构特征、沉积技术及其工艺参数展开介绍，重点解析LPCVD方法在多晶硅制备中的优势与挑战，并结合不同工艺条件对材料性能的影响，帮助读者深入理解硅材料在先进微纳制造中的应用与工艺演进路径。
2025-04-09 16:19
LPCVD炉管清洗使用的配方是什么？HF会腐蚀炉管吗？
2017-09-07 10:09
各种芯片制造行业；主要设备有：扩散炉，光刻机，涂布机，LPCVD，PROBING（点测机），干刻机、示波器、测膜厚仪等各种芯片制造设备；为更好的服务客户，公司同时经营各种相关设备配件与承接特气管路铺设
2009-05-12 17:28
本文介绍了通过LPCVD制备氮化硅低应力膜 氮化硅膜在MEMS中应用十分广泛，可作为支撑层、绝缘层、钝化层和硬掩膜使用。SiN极耐化学腐蚀，疏水性使它可以作为MEMS压力传感器、MEMS流量
2025-05-09 10:07
各种芯片制造行业；主要设备有：扩散炉，光刻机，涂布机，LPCVD，PROBING（点测机），干刻机、示波器、测膜厚仪等各种芯片制造设备；为更好的服务客户，公司同时经营各种相关设备配件与承接特气管路铺设
2009-05-12 17:32
铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示了氮化硅在铜芯片中作为金属沉积前的电介质层（PMD）、金属层间电介质层（IMD）和钝化保护电介质层（PD）的应用情况。
2022-10-17 09:29
