1. 为什么要pad oxidation？仅仅是为了抵消SIN和SI之间的应力吗？这里的所谓应力指的是由于热膨胀导致的SIN和SI之间的应力吗？（印象中两者的的热膨胀系数好象很接近的？难道SIO2的是介于两者之间的？）
2011-12-02 14:32
线路上的数据波都可以，但SRAM没有响应。MISO线ReMin在高电平。保持（引脚7）被绑定到3V，SiO2（引脚3）被连接到GND。我试图替换MCU和SRAM，但问题仍然存在。这是我的简单代码。我哪里错了？谢谢。
2019-08-08 11:07
。目前广泛应用的是SiO2为绝缘层的绝缘栅场效应管，称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET。以功能类型划分，MOSFET分为增强型和耗尽型两种，其中耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层
2019-07-29 06:01
先小后大，漏极电流先增大后不变。 N沟道耗尽型MOS管，SIO2绝缘层掺入大量正离子，即使不加栅源电压，也会形成反型层和导电沟道，在此基础上加正向电压沟道电阻变小，加反向电压导电沟道变小，而且反向电压
2024-01-30 11:38
post-charge time of SIO_D中post应该怎么翻译
2017-07-09 16:41
chip_slave_phy_inst / slave_sio_phy.axi_chip2chip_sio_input_inst / idelayctrl_gen.IDELAYCTRL_inst' 和 'i_fpga_a_bvci_c2c_top / axi_sy
2018-10-18 14:34
[1001.616314] u*** 2-1：SerialNumber：210203368398 [1001.619354 ] ftdi_sio 2-1：1.0：检测到FTDI USB串行设备转换器
2019-09-09 09:19
(L+) 和一个公共返回引脚 (L–)。 当一个 IO-Link 主控器上电时，它询问每个连接器件以决定各器件的正确操作模式：SIO、COM1、COM2 或 COM3。这允许老式传统器件和支持
2019-07-23 06:13
我尝试使用电荷泵，可以在纸上（AN60580）但是没有电流的规格。所以我问你，水泵的供应量是多少？SiO电流是25Ma，因此25Ma是最大电流。是真的吗？如果你知道，如何增加最大电流，请回答。谢谢您
2019-05-10 09:47
SCCB的SIO_C和SIO_D分别于MSP430的P1.5和P1.4连接了，另外还各自接了接地线和电源，但是往OV寄存器写入数据后，始终没法读取写入OV寄存器后的数据。想请教大家，是不是管脚连错了，少连了什么管脚，或者是因为其他什么原因导致的？
2019-07-30 15:45
