SiO₂薄膜的厚度量测原理主要基于光的干涉现象。具体来说，当单色光垂直照射到SiO₂薄膜表面时，光波会在薄膜表面以及薄膜与基底的界面处发生反射。这两束反射光在返回的过程中会发生干涉，即相互叠加，产生
2024-09-27 10:13
SiO₂薄膜在集成电路中扮演着至关重要的角色，其作用主要包括以下几个方面： 绝缘层 ：SiO₂薄膜作为良好的绝缘材料，被广泛应用于集成电路中作为绝缘层。它能够有效地隔离金属互连线和晶体管等器件，防止
2024-09-27 10:19
SiO₂膜层镀膜过程中出现的膜裂问题，可以通过多种方法来解决。以下是一些主要的解决策略： 1. 优化镀膜工艺 蒸发速度控制 ：蒸发速度的设置对膜层厚度有直接的影响，进而影响膜层的应力和均匀性。需要
2024-09-27 10:08
20世纪60年代以前，半导体基片抛光还大都沿用机械抛光，得到的镜面表面损伤是极其严重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶和凝胶抛光后，以SiO2浆料为代表的化学机械抛光工艺就逐渐代替了以上旧方法。
2023-08-02 10:48
LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品
2016-08-05 17:45
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，
2019-03-10 10:44
晶圆的层次结构如下图所示：硅基板P型衬底为掺杂硼原子的Si，N阱(n-well)为掺杂磷原子的Si；其上面为隔离作用的场氧层是SiO2，场氧层上面由多晶硅做的Poly电阻，其通过接触孔
2022-10-31 10:33
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）或 IGFET（绝缘栅场效应晶体管）是一种场效应晶体管，它在栅极和主体之间利用绝缘体（如 SiO2）。如今，MOSFET 是数字和模拟电路中最常见的晶体管类型。
2023-12-04 15:11
都利于改善聚合物的摩擦学性能和力学性能。目前用于填充PTFE 的纳米材料主要有纳米Al2O3、SiO2 和TiO2 等。
2023-05-12 15:33
按比例减薄后，要求低的缺陷密度，好的抗杂质扩散，具有低的界面态密度和固定电荷的 Si/SiO2 界面。 （2）可控并重复的沟道掺杂。达到调整阈值电压和抑制穿通。
2018-03-16 10:29
