在等离子增强化学气相沉积法PECVD沉积 SiO2和 SiN掩蔽层过程中!分解等离子体中浓度较高的H原子使MG受主钝化!同时在P-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00
理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响，并且讨论了Si0，薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响．实验制备出蓝移波长为53 nm的非吸收窗口，最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为
2018-02-10 10:16
2012-10-22 19:08
分别以丙醇锆和正硅酸乙酯为原料，采用溶胶-凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶。用旋转镀膜法在K9玻璃上分别制备了SiO2单层膜、ZrO2单层
2010-03-03 13:50
SiO2 薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀、机械等特性，在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景
2020-03-10 08:00
configurations and output enable functions. These devices have logic input and output buffers separated by TI’s silicon dioxide (SiO2
2010-08-26 15:25
configurations and output enable functions. These devices have logic input and output buffers separated by TI’s silicon dioxide (SiO2)
2010-08-26 15:14
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2010-08-26 15:24
Ewald Georg von Kleist invented the first recorded capacitor in 1745 SiO2: Typical BV is 1000 Vpeak
2011-04-29 18:04
构成光纤的材料是石英纤维（SiO2）;光纤由内芯和包层组成，芯的折射率略大于包层，利用光在内芯的折射或在芯与包层界面上的全反射实现光的传播。
2009-11-14 10:27
