有机无机复合ZrO2 2SiO2 平面光波导摘要: 采用溶胶凝胶法合成ZrO22SiO2 有机无机复合光波导材料,通过改变其中ZrO2 的含量来调节材料的折射率,使材
2009-08-08 09:57
芯片制作工艺流程 工艺流程1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2
2019-08-16 11:09
使用过程中的耐擦洗性以及美观度等，因此涂层的耐磨性是涂层的关键性能要求。考察n(SiO2)︰n(M+)︰n(PO43-)的不同比例对涂层耐摩擦次数的影响，以及在此基础上添加0.5%质量分数的纳米氧化锆分散
2017-10-13 16:53
was used to prepare ferrite t hin film on SiO2 layer . The ferrite film of surface ap2pear s crack
2009-08-08 09:42
个SiO2薄层。 接下来进行光刻。第一步是在SiO2薄层上均匀涂布正性光刻胶层；第二步是隔着光掩膜版向下面的正性光刻胶层曝光；第三步是对光刻胶层进行定影和后烘固化；第四步是显影，即腐蚀溶解掉感光区域
2025-04-02 15:59
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或
2021-04-23 07:04
1. 为什么要pad oxidation？仅仅是为了抵消SIN和SI之间的应力吗？这里的所谓应力指的是由于热膨胀导致的SIN和SI之间的应力吗？（印象中两者的的热膨胀系数好象很接近的？难道SIO2的是介于两者之间的？）
2011-12-02 14:32
我正在使用 CY8C5867LTI-LP025。 我知道我需要使用 SIO 端口来使用 I2C、UART 等。 SPI通信是否也需要使用 SIO 端口？
2024-03-06 06:23
) （7）光刻胶的去除 5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱 7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、 用热磷酸去除
2011-12-01 15:43
逆变器3.第一步将是形成n（1）用 SiO2（氧化物）保护层覆盖晶圆（2）删除应构建 n 阱的层（3）植入或扩散 n 掺杂剂进入暴露的晶圆（4）剥离 SiO2如有侵权，请联系作者删除`
2021-07-08 13:13
