如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40
本文介绍了IR4302主要特性，功能方框图，典型应用电路以及采用IR4302的100W / 4欧姆x 2路D类音频功率放大器主要特性，电路图，材料清单和PCB布局图。
2021-06-03 07:02
MOSFET管的耐压在150左右，电流在80A左右，MOSFET管怎么选择？什么型号的MOSFET管子合适。主要用在逆变器上面的。谢谢？？
2016-12-24 14:26
，首先是共源电感，然后是电源环路电感，最后是栅极环路电感。 对于高压PQFN（功率四方扁平无引线）MOSFET封装，需要单独的栅极-返回源极引脚是众所周知的，并且在高压GaN PQFN结构中也实现了
2023-02-24 15:15
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56
本应用说明包括正确的印刷电路板 布局指南和电源示例，以帮助设计师正确设计正确的热管理。为了避免部件温度过高、效率低下、外壳温度过高、部件故障和设计周期过长，必须在设计周期内尽早遵循这些指南。
2021-06-16 08:34
集成是有好处的有很多原因，但每次集成度的增加通常都伴随着对更多电力的需求。负载点电源(POL)稳压器很好地在需要处并以适当的电平提供电力，但也面临着挑战。
2019-08-09 07:53
集成是固态电子产品的基础，将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展。随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展，功能密度不断提高，在物理尺寸和功率两方面都提供了更高能效的方案。对产品开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其能够贴近负载点，且仍然可提供95％以上的能效。高水平的集成和功率转换的结合并非传统上好的搭配，因为通常来说，两者所采用的流程并不完全兼容。在某些情况下，不可避免的妥协是可以容忍的，例如在相对较窄的输入电压范围内提供较低功率水平的DC / DC稳压器，或低功率能效可忽略不计的情况。不幸的是，对于系统开发人员来说，此类妥协也变得越来越难以容忍。少数功率稳压器如今能提供良好的集成水平，但它们在性能和能效方面普遍较差。对于越来越多无法在此方面做出妥协的应用，这常常意味着集成水平可能受限于控制器和用于外部MOSFET的低端/高端驱动器。然而，理想的方案应该是将所有降压转换器功能集成到一个单一、小型以及高能效的器件中，集控制器、驱动器和MOSFET于一身，以提供更强大的整体系统优势。
2019-08-12 08:05
本文介绍了IR4301和IR4311主要特性，方框图，多种连接电路和应用电路，以及采用IR4301的130W/4Ω x 2路D类音频功率放大器IRAUDAMP12参考设计主要特性，电路图，材料清单和PCB布局图。
2021-06-03 06:25
驱动汽车电子负载的VIPower上桥臂驱动器有哪些重要技术？如何通过VIPower M0TM技术去实现车用智能功率开关？
2021-05-13 06:52
