国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35
用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强，并实现更高的功率密度。在以并联方式使用的传统MOSFET应用中，采用增强型封装(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用单个组件代替一个并联的组件对。
2011-03-09 09:13
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电
2010-11-24 09:14
封装接合线和引线框上不必要的电感使得栅极上会维持一定的电压，从而阻止栅极驱动器关断器件。这会大大延迟关断，从而增加MOSFET的功率损耗，降低转换效率。此外，杂散电感可导致电路中出现超过器件电压额定值的电压尖峰，从而导致出现故障。
2018-08-20 15:22
采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10
IR扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装，为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案
2011-06-29 09:07
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该
2018-11-13 16:26
如果再采用额外附加的散热措施，如顶部粘贴散热器或采用冷却风扇都可以增加模块的电流输出能力，扩大PQFN封装IPM模块的应用功率范围。当采用铝基板代替FR-4材料PCB板时，IPM模块的电流输出能力可以增加大约一倍。
2022-04-14 11:33
。 OptiMOS 7 功率MOSFET 该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中
2023-12-12 18:04
基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆，不仅通态电阻（RDS（on））降低，还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛，包括马达驱动、SMPS（包括服务器、电信和
2020-02-18 17:50
