之前导通。 因此，改进封装以改善导通电阻和电流处理能力的原因有多种。用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强，并实现更高的功率密度。在以
2018-09-12 15:14
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40
采用了GaNSense™技术的NV6169 PQFN 8×8 GaNFast™功率IC，适用于更高功率的应用
2023-06-16 11:12
概述：TPS56121采用热增强型22引脚PQFN（DQP）Power PAD封装，工作电源电压在4.5V与14V之间的高效率大电流同步降压转换器。在高达15A的负载下产生低至0.6V的输出电压。
2021-04-09 07:57
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21
技术,是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可实现业界领先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高仅为<br/&
2010-05-06 08:55
全桥拓扑。这种转换使系统的输出功率加倍。FDMF8811集成了一对100V的功率MOSFET、120 V驱动器IC和一个自举二极管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封装。通过集成所有的关键
2018-10-24 08:59
A。同样的芯片采用传统的D2PAK封装，其通态电阻为1.8 mΩ，额定漏电流为195 A。其他改进的功率封装包括功率四方扁平无引脚封装(PQFN)和DirectFET等封装。PQFN封装具备多种变体
2019-05-13 14:11
频率（25 kHz至70 khz或60 kHz至700 kHz）和与MOSFET有关的杂散电感水平选择最适合他们应用的型号。范围适用于采用TO-220、D2PAK、DPAK或PQFN封装形式
2018-10-15 16:35
问题。FAN65004B/5A/8B系列能提供高达100 W的功率及达95%的高能效，提供出色的热性能，在小的6x6mm PQFN 35封装中温度仅升29°C。此外，FAN 65系列有一个节能模式，以实现轻
2018-10-30 09:03
