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之前导通。 因此，改进封装以改善导通电阻和电流处理能力的原因有多种。用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强，并实现更高的功率密度。在以
2018-09-12 15:14
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35
用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强，并实现更高的功率密度。在以并联方式使用的传统MOSFET应用中，采用增强型封装(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用单个组件代替一个并联的组件对。
2011-03-09 09:13
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电
2010-11-24 09:14
封装接合线和引线框上不必要的电感使得栅极上会维持一定的电压，从而阻止栅极驱动器关断器件。这会大大延迟关断，从而增加MOSFET的功率损耗，降低转换效率。此外，杂散电感可导致电路中出现超过器件电压额定值的电压尖峰，从而导致出现故障。
2018-08-20 15:22
采用了GaNSense™技术的NV6169 PQFN 8×8 GaNFast™功率IC，适用于更高功率的应用
2023-06-16 11:12
采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10
IR扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装，为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案
2011-06-29 09:07
如果再采用额外附加的散热措施，如顶部粘贴散热器或采用冷却风扇都可以增加模块的电流输出能力，扩大PQFN封装IPM模块的应用功率范围。当采用铝基板代替FR-4材料PCB板时，IPM模块的电流输出能力可以增加大约一倍。
2022-04-14 11:33
