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  • 利用泡沫铜辅助的PECVD技术直接可控制备柔性石墨烯玻璃

    近日,苏州大学能源学院、能源与材料创新研究院的孙靖宇教授、刘忠范院士以及北京大学纳米化学研究中心的张艳锋研究员(共同通讯作者)等采用泡沫铜辅助的PECVD策略,利用柔性及超薄玻璃作为生长基底,成功实现大面积制备柔性石墨烯玻璃这种新型复合材料。

    2019-03-13 16:19

  • 热氧化与PECVD生成氧化硅的方式比较

    热氧化是在高温下通过化学反应在硅表面生成氧化硅的方式。

    2024-05-19 09:59

  • PECVD工艺中RF射频功率对μc-Si:H薄膜各项参数影响

    HJT太阳能电池已经在正、背表面实现了钝化接触,因此获得了较高的开路电压,明显高于TOPCon电池和PERC电池。但正表面的非晶硅层存在较为严重的寄生吸收,造成HJT电池在短路电流方面并不占优势。解决该问题的思路之一在于使用微晶硅代替非晶硅。从工艺上来讲,微晶硅的形成需要改变通入硅烷与氢气的稀释率,RF射频功率和沉积压强,来提高微晶硅薄膜的晶化率。美能晶化率

    2024-07-23 08:33 美能光伏 企业号

  • TOPCon核心工艺技术路线盘点

    TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选,约 12 步左右。从技术路径角度:LPCVD 方式为目前量产的主流工艺,预计 PECVD 路线有望成为未来新方向。

    2023-12-26 14:59

  • AlN钝化器件电流崩塌分析

    本研究采用PEALD沉积AlN材料作栅绝缘层的同时,利用其作为器件表面钝化层材料,本节即采用脉冲测试方法研究了PEALD沉积AlN钝化器件的电流崩塌特性,并将其与常规的PECVD沉积SiN钝化层材料进行了对比分析。

    2023-02-14 09:31

  • LPCVD氮化硅薄膜生长的机理

    可以看出, SiH4提供的是Si源,N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反应温度较高,氢原子往往从氮化硅薄膜中去除,因此反应物中氢的含量较低。氮化硅中主要由硅和氮元素组成。而PECVD反应

    2025-02-07 09:44

  • ALD技术工艺原理、优势及应用

    面对真空镀膜多元的应用市场,镀膜技术的发展也从传统的蒸发、电子束热蒸发技术,相继发展出PECVD、ALD原子层沉积技术、磁控溅射技术等等,技术地位日益凸显。本报告嘉宾来自国内半导体设备龙头企业无锡邑

    2023-10-18 11:33