1、 电子、物理、通信、材料等专业，本科以上学历，3年以上的PECVD\LPCVD沉积工作经验； 2、 了解半导体工艺、精通PECVD或LPCVD材料生长技术； 3、 精通PECVD或LPCVD设备
2012-12-19 22:42
、 合金化6、 单面光刻（涂胶、对准、曝光、显影）7、 双面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化
2015-01-07 16:15
膜，以及高分子膜和金属膜等。由于在表面硅MEMS加工技术中最常用到的是多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜，而它们通常采用LPCVD或PECVD来制作。2、PECVD制膜技术PECVD法是利用辉光放电的物理作用
2018-11-05 15:42
及技术砷化镓锗蓝宝石单晶合成设备及技术微控高位扩散/退火/氧化系统设备。进口全新 翻新设备光刻机AP/PECVD扩散炉溅射台蒸发机注入机刻蚀机 ICP深槽刻蚀机清洗辅助设备等.电话：***
2016-05-05 09:51
炉管可以一次整匹处理约 200 个芯片，因此离子注入法不适用于太阳电池的制备工艺。另一方面，即使是常用的标准工艺，也会因为提高生产量的需要而被改进。例如，用来成长抗反射层的 PECVD，一般只有单一的腔
2017-11-22 11:12
chambersApplied Materials P5000 PECVD system, 8", TEOS with PLISCanon FPA-3000 EX4 DU! V Stepper
2009-08-28 15:52
。 选择高纯熔融石英玻璃作为衬底，则可用 PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）来沉积，典型工艺气体为 SiH4、N2O。薄膜沉积完成之后，然后进行高温退火。折射率一般控制在 1.457@633nm
2018-02-22 10:06
(Plasma Enhanced CVD) NPCVD 法及LPCVD 法等皆是被加热或高温的表面上产生化学反应而形成薄膜。PECVD是在常压CVD或LPCVD的反应空间中导入电浆(等离子体)，而使存在于空间
2019-08-16 11:09
区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。 16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理
2011-12-01 15:43
金属以形成欧姆接触。使用ICP蚀刻形成压敏电阻器。离子注入掩模定义了要隔离的区域，以2×1017 cm2的剂量注入B+在压阻器件之间产生隔离层。低温（200℃）沉积1240 Å PECVD Si3N4
2021-07-07 10:22
