大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21
`原理应该类似cmos的inverter，此处从某氮化镓hemt设计公司的官网下载的电路图，不太理解这个左边的变压器有什么作用。大哥们不吝赐教`
2021-07-10 11:18
本帖最后由 KUW 于 2020-3-14 17:51 编辑 初次使用LTspice软件，很多不太懂，如图，搭的buck电路，开关器件用的Transphorm官网找的共源共栅GaN HEMT器件的LTspice模型，出现这个提示怎么办？急需解答，十分感谢！
2020-03-14 17:06
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的栅极与驱动硅（Si）MOSFET的栅极有相似之处，但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30
我正在研究ADS，我从B1505 Agilent获得了GaAs HEMT的Id-Vd曲线测量。我将结果导出为.CSV文件，我想在我的模拟中使用非线性模块（如SDD2P或SDD3P组件和数据访问组件
2018-11-22 10:44
HEMT晶体管的DC-IV，多偏置S参数和CW RF（NVNA数据）测量我想做一个模型;至于现在，我使用ADS中的测量数据制作了自己的模型。我对准确性并不完全满意，并希望看看我是否可以使用IC-CAP中
2018-12-10 16:31
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13
芯片常关GaN平台中，通过控制饱和电流（ID，周六）的Si-FET或GaN-HEMT的饱和电流。图2. 获得专利的短路限流器（SCCL）的作用是降低漏源饱和电流（I），以增加器件的SCWT，同时保持低
2023-02-22 16:27
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80
2019-07-29 07:16
毫米波长范围（30-300GHz）内除了其较低端外，还没有很好地被利用。而在成像，安全，医疗，和短距离无线传输以及数据速率不断提高的光纤传输中的新应用可能会迅速地改变这种状态[1]，[2]。在过去的三十年里，III-V 技术（GaAs 和InP）已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小，硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用于100-GHz 和100-Gb/s 应用的半导体有源器件进行了综述，介绍了什么是用于甚高频率的半导体技术？接着是两个不同方面具有竞争性的技术现状：分频器，来说明该技术适宜用在高速数字电路中，以及振荡器，用来说明其在模拟电路应用中的性能。
2019-07-31 07:43
