2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴，在所有 RF 细分市场中
2022-09-19 09:33
关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-
2023-02-14 09:18
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，如图1所示。
2022-09-27 10:30
硅基半导体经过多年发展，其性能逐渐接近极限，在进一步降本增效的背景下，第三代宽禁带半导体氮化镓功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38
由于界面固定电荷没有充放电效应，所以利用回滞曲线或变频方法无法提供界面固定电荷信息，平带电压VFB漂移是常用的用于计算界面固定电荷的方法。本文首先结合能带结构建立了肖特基栅和绝缘栅HEMT器件的平
2023-02-13 09:33
第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件可靠性理论，器件的工作温度、性能及可靠性有着极为密切的联系，因此准确检测GaN HEMT的温度就显得极为重要。
2023-02-13 09:27
由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而来的高电子迁移率晶体管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00
晶体管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的测量工具和 技术，进而呈现器件性能的优劣。综述了 GaN HEMT 外延材料的表征技术，详细介绍了几种表 征技术的应用场景和近年来国内外的相关
2023-02-20 11:47
硅材料的功率半导体器件已被广泛应用于大功率开关中，如电源、电机控制、工厂自动化以及部分汽车电子器件。这些硅材料功率半导体器件都着重于减少功率损耗。在这些应用中，更高的击穿电压和更低的导通电阻是使功率半导体器件功率损耗最小化的关键。然而，硅功率半导体器件的性能已接近理论的极限。此外，很多电力电子系统都需要非常高的阻断电压和开关频率，现有的硅功率器件已无法满足这么高的要求。因此，宽禁带半导体吸引了很多关注，由宽禁带半导体所制备的功率器件可作为具有低导通电阻的高压开关，可以取代硅功率器件。此外，宽禁带异质结场效应晶体管具有较高的载流子密度和二维电子气通道，以及较大的临界电场强度等物理特性，其中的氮化镓 (Gallium Nitride, GaN）已被认为可制备极佳的功率开关。
2023-11-09 11:26
