大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27
使用RHEED density优化的MBE growth conditions, 生长高迁移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28
电机设计中对于GaN HEMT的使用GaN HEMT的电气特性使得工程师们选择它来设计更加紧凑、承受高压和高频的电动机，综上所述这类器件有如下优点：较高的击穿电压，允许使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27
如果基于GaN的HEMT可靠性的标准化测试方法迫在眉睫，那么制造商在帮助同时提供高质量GaN器件方面正在做什么？ GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其极高的耐高温性和高功率密度而在半导体行业中
2020-09-23 10:46
为了满足数据中心快速增长的需求，对电源的需求越来越大更高的功率密度和效率。在本文中，我们构造了一个1.5 kW的LLC谐振变换器模块，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10
Fibocom 5G智能模组SC171 产品文档资料链接：https://pan.baidu.com/s/113wFCk8zlmd4heMT8HlkKw?pwd=0000
2023-03-06 14:41
设备描述 ZNBG系列设备旨在满足GAAS的偏压要求卫星常用的HEMT场效应管接收器LNB、PMR、移动电话等。 最少有外部组件。 加上两个电容器和提供漏极电压的电阻以及一些外部的电流控制
2020-07-02 14:24
`原理应该类似cmos的inverter，此处从某氮化镓hemt设计公司的官网下载的电路图，不太理解这个左边的变压器有什么作用。大哥们不吝赐教`
2021-07-10 11:18
