针对典型的GaAs高电子迁移率晶体管（HEMT），研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型，考虑了高电场
2017-11-06 15:17
使用ADS系统设计35GHz HEMT压控振荡器摘要用ADs系统软件设计了—个3SGHz压拄振荡器，模拟结果表明：采用0．1 HEMT器件-输出功率可选13．52dbra．控制电压在0到Bv变化时
2010-05-17 16:42
这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54
基于温度步进应力实验，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现： 在结温为 139 ～ 200 ℃ 时，AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源
2020-06-23 08:00
HMC-ALH369：GaAs HEMT MMIC低噪声放大器，24-40 GHz数据表
2021-05-27 19:56
HMC-ALH444：GaAs HEMT MMIC低噪声放大器，1-12 GHz数据表
2021-04-22 10:24
HMC753：1 GHz至11 GHz，GaAs，HEMT，MMIC低噪声放大器数据表
2021-04-25 12:57
HMC752：GaAs HEMT MMIC低噪声放大器，24-28 GHz数据表
2021-05-27 19:57
电子发烧友网站提供《ATF-541M4低噪声增强模式伪HEMT微型无引线封装产品简介.pdf》资料免费下载
2023-07-20 10:17
电子发烧友网站提供《QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手册.pdf》资料免费下载
2024-07-31 13:24
