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HEMT2103-FC-2 - 1550 nm Externally Modulated Transmitter - Emcore Corporation
2022-11-04 17:22
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）作为一种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势，但同时也存在一些缺点。以下是对GaN HEMT优缺点的详细分析：
2024-08-15 11:09
使用RHEED density优化的MBE growth conditions, 生长高迁移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28
报告内容包含： 微带WBG MMIC工艺 GaN HEMT 结构的生长 GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06
针对典型的GaAs高电子迁移率晶体管（HEMT），研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型，考虑了高电场
2017-11-06 15:17
GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
2023-05-25 15:14
HEMT2101-FC-1 - 1550 nm Externally Modulated Transmitter - Emcore Corporation
2022-11-04 17:22
HEMT2102-EC-1 - 1550 nm Externally Modulated Transmitter - Emcore Corporation
2022-11-04 17:22
HEMT2101-TC-2 - 1550 nm Externally Modulated Transmitter - Emcore Corporation
2022-11-04 17:22
HEMT2102-SC-2 - 1550 nm Externally Modulated Transmitter - Emcore Corporation
2022-11-04 17:22
