在现代ULSI电路中沟道热载流子（CHC）诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时，热载流子（动能非常高的载流子）由于
2024-12-11 10:45
在超大规模集成(ULSI)制造的真实生产线中，器件加工过程中存在各种污染物。由于超大规模集成电路器件工艺需要非常干净的表面，因此必须通过清洁技术去除污染物，例如使用批量浸渍工具进行湿法清洁批量旋转
2022-04-08 14:48
由于图案密度和晶圆直径的增加，对于非常精细的图案ULSI器件高度坚固的表面进行完整的清洗、清洗和干燥是极其困难的。IPA蒸汽干燥是半导体制造中广泛应用的一种干燥方法。由于IPA具有低表面张力和对水
2022-04-29 15:08
对于亚微米或深亚微米 ULSI 的制造，完全抑制在硅晶片表面产生的颗粒和污染非常重要。清洁需求的传统概念是使用化学成分（APM、氨和过氧化氢混合物）发挥主要作用。不幸的是，SC-1 (APM) 对表
2022-03-30 14:29
