金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技术而制成。GaN-on-SiC 方法结合了GaN 的高功率密度功能与SiC 出色的导热性和低射频损耗。这就是GaN-on-SiC 成为高
2019-08-01 07:24
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大进展[1~ 3] ，在国外工作于绿光到紫光可见光区内的GaN LED 早已实现了商业化[2]；国内多家单位成功制作了蓝色发光二极管，并初步实现了产业化[3]。而众多的研究[4~ 14] 表明，GaN 材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41
光盘系统用LD的发展历程LD用于光盘系统应具备的特性光盘系统用半导体激光器
2021-04-21 06:29
光电子应用正在推动砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场进入一个新时代！在GaAs射频市场获得成功之后，GaAs光电子正成为一颗冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00
天线：MassiveMIMO和新材料将应用5G封测：各大封测厂积极备战5G芯片化合物半导体迎来新机遇电磁屏蔽、导热材料获得新市场空间
2020-12-30 06:01
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80 %的功率增加效率(PAE: power addedefficiency)，非常的适用于高层(high tier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。
2019-07-29 07:16
半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢？
2019-07-31 06:53
