用于LED制造的MOCVD技术
2017-02-07 13:27
针对MOCVD系统工艺的要求，设计了一种基于PLC的MOCVD计算机控制系统。本文从系统的组成、实现原理和软件设计等方面做了介绍。采用可编程控制器作为其核心控制系统，提高了系统
2010-07-20 15:50
Outline Introduction Basic MOCVD Technology Advantages of Showerhead MOCVDReactor The Planetary Reactor LED Processing Conclusion
2010-12-21 16:08
通过计算表明,片式加热器加热系统在石墨盘上的调节曲线峰值变化与加热器的加热功率、水平位置和大小有很密切的关系,文中解释了峰值移动的内在原因。得出设计加热器一些原则:加
2012-01-10 17:01
液相外延（L PE） 和金属有机化合物气相淀积（M OCVD ） 方法是制作太阳电池材料的两种主要方法。 国内使用L PE 方法时间较长，M OCVD 方法才刚起步， 工艺不很完善， 但目前制作的M OCVD 电池的效率已很接近L PE 电池的效率。 增大M OCVD 电池外延层的厚度可以提高电池的效率， 同时还发现增大 n 型外延层的厚度能提高电池承受大电流的反向冲击的能力。 为此， 本文探讨了增大 n 型外延层的厚度对提高电池的效率所起的作用， 同时说明了电池承受大电流的
2017-09-22 14:24
新型TurboDisc EPIK700 GaN MOCVD系统
2021-02-07 10:29
GaN，即氮化镓，属六角纤锌矿结构。在T=300K时为，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。
2017-09-14 11:02
RFMD的SZM-2066Z是一种高线性等级的AB异质结双极晶体管（HBT）放大器，其封装在低成本表面贴装塑料Q-FlexN多芯片模块封装中。该HBT放大器采用InGaP on GaAs器件工艺制造，采用MOCVD工艺制造，具有低成本、高可靠性的理想组合。
2018-08-29 11:26
RFMD的SZA-5044是一种高效率的AB类异质结双极晶体管（HBT）放大器，它采用低成本的表面可安装塑料封装。该HBT放大器采用InGaP on GaAs器件工艺制造，采用MOCVD工艺制造，具有低成本、高可靠性的理想组合。
2018-08-23 11:26
RMMD的SZM-3166Z是一种高线性度AB异质结双极晶体管（HBT）放大器，其封装在低成本的表面可安装的塑料Q-FRISN多芯片模块封装中。该HBT放大器采用InGaP在GaAs器件技术上制造，用MOCVD制作，成本低，可靠性高。
2018-08-21 11:26
