本文介绍了从开发成熟的MOCVD淀积GST材料性质获得的电学特性。
2012-05-04 17:14
固态升华法（Sublimation） 固态前驱体在加热容器中被加热至其升华点，从固态直接转化为气态。升华后的前驱体以气态形式通过载气输送到反应室即可参与反应。
2023-11-20 18:22
通过分析光谱，此时UV LED的峰值波长为368nm（图3a）。在这种波长下，磁控溅射工艺ITO膜的透过率为86%，MOCVD工艺ITO膜的透过率为95%。 然而磁控溅射工艺ITO膜的电阻率小于使用MOCVD工艺的ITO膜， 磁控溅射工艺的接触电阻更大。
2018-08-08 18:16
随着LED照明市场的起飞，加上中国政府大力推行节能补助，带动陆厂大举扩增LED上游晶粒产能，自2011年起陆厂约新增420台MOCVD机台，总机数达720台，但在景气不明与人才短缺下，开机率
2012-07-04 10:32
VCSEL为垂直共振之半导体laser，自1980年代末被提出，1996年被商业化，Honeywell推出VCSEL传输模组，发光及检光的原材料以砷化镓 (GaAs)、砷化镓铟(InGaAs)为主，采有机金属气相沉积法( MOCVD )制成磊晶圆。
2017-11-28 10:23
绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1nm AlN界面插入层、22nm AlGaN势垒层、及2nm GaN帽层，势垒层铝组分设定为30%。
2023-02-14 09:31
近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）器件。与相比之下，单晶
2023-05-25 09:51
最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00
