】晶圆 FOL– Back Grinding背面减薄 将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（5mils~10mils）； 磨片时，需要在正面（Active
2023-05-23 09:56
► Document选项，然后打开 Properties 面板，您可以在该面板上将mils更改为mm，然后选中Show Comment/Designator复选框。 编辑：何安
2023-01-17 15:32
打开pad Designer界面，对所选过孔进行编辑。首先设置1-2的盲孔，在Parameters选项卡中，Units下拉列表框选择Mils，Hole type下拉列表框中选择Circle
2019-03-08 17:22
额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需+2 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。
2025-04-02 09:25
PHEMT工艺制造而成，采用3 V (41 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益，噪声系数为3.5 dB。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。
2025-03-20 09:15
dB增益压缩），功耗为80 mA（采用+5V电源）。 HMC1127放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，方便集成多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
2025-03-19 15:33
额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-4 dBm的标称驱动。 数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度<0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。
2025-04-01 14:31
额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。
2025-04-01 15:56
数量。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
2025-04-17 09:23
。HMC8401放大器输入/输出内部匹配50 Ω，可方便地集成至多芯片模块(MCM)。所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
2025-03-12 09:50
