分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一种在超高真空状态下，进行材料外延技术，下图为分子束外延的核心组成，包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。
2024-01-15 18:12
来源：半导体芯科技编译 Veeco Instruments 已向位于台湾新竹科学园区的半导体和光电子客户 Hermes-Epitek 交付了一套 GEN20-Q 分子束外延 (MBE) 系统
2024-02-26 12:14
HVPE主要是利用生长过程中的化学反应，如歧化反应、化学还原反应以及热分解反应等实现外延晶体薄膜的制备，具有生长温度高、源炉通气量大、生长速率大的特点，一般用来制备厚膜以及自支撑衬底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41
高质量的材料制备是一切器件研究的核心与基础,本篇文章主要讲述MBE的原理及制备过程｡
2025-06-17 15:05
MBE模型能够使合成语音谱与原语音谱在细致结构上很好地拟合，因此，在低比特率的情况下，其合成语音的音质依然能够保持较高的自然度。
2021-03-16 14:01
根据工程应用的不同需求，SITP重点发展了基于碲锌镉衬底的碲镉汞液相外延（LPE）和异质衬底的大面积碲镉汞分子束外延（MBE）的材料制备技术
2020-06-01 14:57
型号的MAE136，MBE6A5等五款新机获得了3C认证。虽然现在还不能完全确定这些新机的真实身份，但小米MAE136和MBE6A5很有可能是传说中的小米Meri或小米5C
2017-01-24 15:34
昆明物理研究所在4.2μm波长中波器件研制基础上进一步提高中波响应波段，在GaSb衬底上MBE生长XCBn复合势垒结构的InAs0.83Sb0.17材料，于 2020年研制出响应截止波长4.6μm的150K工作温度的红外焦平面器件（红中波）。
2022-10-19 16:10
AMBE是基于MBE技术的低比特率、高质量语音压缩算法，具有语音音质好和编码波特率低等优点，并植于DVSI公司的AMBE-1000语音压缩芯片内。该芯片是一高性能的多速率语音编码/
2010-08-30 10:50
新型电子器件 GaN 材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE 技术在 GaN 材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN 多种异质结构。
2023-11-17 16:18
