在介绍MBE 语音算法以及TMS3201VC5402 定点DSP 芯片的基础之上,详细的讨论了改进的MBE 语音算法以及它在TMS320VC5402 上实时实现的关键技术,实验表明,改进以后的MBE 语音算法在TMS
2009-08-13 09:59
随着多带激励MBE模型的成功运用,MBE语音编解码算法也日新月易。介绍了多带激励MBE谱幅度参数和V/U判决参数的提取,阐述了参数的编解码方案,对谱幅度量化时,先作离散余弦变换(
2011-08-30 15:23
在si ( 111)衬底上分别预沉积0,0.1,o.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的I nN材料,结合x射线衍射(XRD) 、扫描电子显微镜(SEM) 、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的I n插入层对外延I nN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明,在si 衬底上预沉积O.5 nm厚的I n插入层有利于改善外延I nN材料的形貌,提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明,0.5 nm厚I n插入层对应的I nN样品吸收边蓝
2017-10-10 14:45
2015-09-10 16:35
MBE0414 - Professional leaded resistors - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22
MBE04140C2209FC100
2023-03-28 14:29
SUB-MINIATURE SNAP ACTING SWITCH
2024-03-14 20:17
MBE04140C1200FC100
2023-03-28 13:53
SWITCH SNAP ACT SPST-NC 10A 250V
2024-03-14 20:17
304 X-HEAVY CONT BANDING
2023-03-22 22:59