使用RHEED density优化的MBE growth conditions, 生长高迁移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28
MBE算法是什么？AMBE-2000TM是什么？如何去设计数字加密电话系统的接口电路？
2021-05-27 06:16
beam epitaxy (MBE) which has excellent control featuresand our development of an SAM laser
2009-05-12 10:57
金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技术而制成。GaN-on-SiC 方法结合了GaN 的高功率密度功能与SiC 出色的导热性和低射频损耗。这就是GaN-on-SiC 成为高
2019-08-01 07:24
by: sn_lee on Nov 20, 2014 10:26 PM附件E5071C_S21Phase.bmp2.1 MBE5071C_S21LogMag.bmp2.1 MB
2018-10-26 14:33
;mbig-endian=mbe mlittle-endian=ml/MULTILIB_MATCHES += mbig-endian=mbe 
2008-09-27 09:08
epitaxy (MBE)方法，将p-型和n-型晶体直接长在芯片基板上，而基板本身通 常也不参与光生伏特作用。这样的epitaxy方式生长晶体的优点，使得电池结构 多样化，例如：异质结、多结、量子井
2017-11-22 11:05
、Anadigics。GaAs是重要的化合物半导体材料。产业链上游为衬底制造，随后是GaAs外延(使用MOCVD、MBE等外延技术)。中游为晶圆加工和封测。下游为手机、基站等应用。住友电工、Freiberger
2019-06-11 04:20
Epitaxy) CVD 技术另一重要的应用为MOCVD，此技术与MBE(Molecular Beam Epitaxy) 同为：(1)成长极薄的结晶；(2)做多层构造；(3)多元混晶的组成控制；(4)目标为
2019-08-16 11:09
硅很多，最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种，一种是化学的MOCVD，一种是物理的MBE。SiGe1980年代IBM为改进Si材料而加入Ge，以便增加电子流的速度，减少耗能及改进功能，却
2016-09-15 11:28
