求大神分享一款不错的2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
2021-04-14 06:01
DLPNIRNANOEVM所需器件是什么？图片中的INGaAs探测器是否也需要？Ti公司是否有？
2018-06-23 06:42
使用的InGaAs PIN管（-70~6dBm,响应度0.9A/W），需要放大的电流范围是80pA~4mA，放大到0-5V给AD转换器。目前测试显示最高100M和1000M档位无法测到有效数据
2024-09-11 07:36
什么是雪崩光电二极管？雪崩光电二极管反向电流的测量介绍
2021-04-09 06:38
高性能图像传感器参考设计的核心集成与协作
2021-01-11 06:16
什么是介观压阻效应？怎么设计一款介观压阻型微压力传感器？
2021-04-09 06:25
商业硅霍尔传感器与量子阱霍尔传感器生成的区别在哪？
2022-02-22 08:03
毫米波长范围（30-300GHz）内除了其较低端外，还没有很好地被利用。而在成像，安全，医疗，和短距离无线传输以及数据速率不断提高的光纤传输中的新应用可能会迅速地改变这种状态[1]，[2]。在过去的三十年里，III-V 技术（GaAs 和InP）已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小，硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用于100-GHz 和100-Gb/s 应用的半导体有源器件进行了综述，介绍了什么是用于甚高频率的半导体技术？接着是两个不同方面具有竞争性的技术现状：分频器，来说明该技术适宜用在高速数字电路中，以及振荡器，用来说明其在模拟电路应用中的性能。
2019-07-31 07:43
探秘DLP NIRscan Nano评估模块，不看肯定后悔
2021-05-07 06:31
曹俊诚 封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室太赫兹(THz)[1．3]技术涉及电磁学、光电子学、半导体物理学、材料科学以及通信等多个学科。它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值。THz振荡源则是THz频段应用的关键器件。研制可以产生连续波发射的固态半导体振荡源是THz技术研究中最前沿的问题之一。基于半导体的THz辐射源有体积小、易集成等优点。本文简单介绍了THz量子级联激光器、负有效质量振荡器以及半导体超晶格振荡器等THz源的工作原理及其研究进展等。
2019-05-28 07:12
