基于InP基多层异质InGaAs探测材料体系，采用分子束外延技术开展了大面积均匀、低掺杂浓度吸收层InGaAs外延材料。所生长的In0.53Ga0.47As外延材料本底电子浓度约1E15 cm-3，室温迁移率大于10000 cm2/Vs。
2020-06-24 09:50
该新技术方案，保障InGaAs APD在室温下，即无需制冷亦可实现高效探测。具体可分为百MHz、GHz两种模式的高速室温单光子探测器，尺寸仅为105×100 mm2，配置USB3.0通讯接口，可便捷地接入到系统中。
2023-06-25 15:08
由上述 InP 系列材料面射型雷射发展可以发现，要制作全磊晶结构的长波长面射型雷射难度较高，因此在1990年中期开始许多光通讯大厂及研究机构均投入大量资源开发与砷化镓基板晶格匹配的主动层发光材料，希望能在砷化镓基板上成长晶格匹配的材料或结构，同时获得发光波长范围在 1310nm 甚至 1550nm 的较长波段。
2025-02-07 11:08
目前工业、医疗、天文和军事对近红外探测和成像有大量需求，本文介绍了一种响应近红外的新型高增益GaAs/InGaAs量子光电探测器。##测试结果。
2014-07-28 16:16
VCSEL为垂直共振之半导体laser，自1980年代末被提出，1996年被商业化，Honeywell推出VCSEL传输模组，发光及检光的原材料以砷化镓 (GaAs)、砷化镓铟(InGaAs)为主，采有机金属气相沉积法( MOCVD )制成磊晶圆。
2017-11-28 10:23
，是大气遥感、三维成像等激光雷达系统的理想工作波段。近红外波段单光子探测技术主要包括超导纳米线单光子探测器、上转换单光子探测器和InGaAs/InP单光子探测器。其中，InGaAs/InP单光子探测器具有体积小、低成本、易于系统集成和良好的综合性能指标等优势，是实
2023-07-03 16:31
使用800nmOCT光谱仪实现超深OCT成像传统上，OCT成像需要使用更长的波长来探测单次扫描中超过几毫米的深度，但波长超过1100nm之后，就需要使用InGaAs探测器相机作为探测元件了，这是
2024-07-18 08:16 上海昊量光电设备有限公司 企业号
研究人员将n型衬底作为分子束外延固体源（图1）。首先将腔室加热至950℃进行5分钟的基底退火，然后通过生长一系列三层300nm GaAs层结构，随后产生InGaAs / GaAs应变超晶格，从而实现
2018-05-23 16:51
近红外（NIR）高光谱成像是一种功能强大的光电探测技术，可以捕获近红外光谱范围内的三维光谱空间信息，具有广泛的应用前景。然而，InGaAs焦平面阵列（FPA）的高成本阻碍了近红外高光谱成像的普及
2024-06-05 09:22
控制，它非常适合于实现精确的微结构，然后可以用于无源光纤自对准。因其晶面蚀刻速率不同而产生的单晶硅各向异性湿法化学蚀刻是一种成熟且受欢迎的技术。1该技术已用于制造各种高精度无源微结构，然后用于固定光纤和引导光线。然而，由于大多数光学器件是由直接带隙化合物半导体材料如InGaAs和InP制成的
2022-05-11 15:04
