InGaAs传感器 InGaAs传感器用于物理和生命科学中需要在900-1700 nm波长范围内具有高灵敏度的应用，称为短波红外(SWIR)。由于材料成分的变化，一些 InGaAs 传感器能够测量
2024-04-09 07:54
红外相机InGaAs在光通信方向的应用案例介绍。 案例介绍 推荐相机 案例：激光光斑成像 InGaAs相机 案例：观测红外光在光子晶体传输 InGaAs相机 案例：光斑观察 I
2023-06-15 06:49
红外相机InGaAs在光波导方向的应用案例介绍。 案例介绍 推荐相机 案例：波导耦合 InGaAs相机 案例：光纤波导耦合对准 InGaAs相机 案例：硅波导损耗分析 In
2023-05-23 07:03
InGaAs单光子探测器已广泛应用于激光三维成像、长距离高速数字通讯、自由空间光通信和量子通讯等。
2023-07-25 14:40
基于InP基多层异质InGaAs探测材料体系，采用分子束外延技术开展了大面积均匀、低掺杂浓度吸收层InGaAs外延材料。所生长的In0.53Ga0.47As外延材料本底电子浓度约1E15 cm-3，室温迁移率大于10000 cm2/Vs。
2020-06-24 09:50
近年来，基于InGaAs单光子雪崩二极管（SPAD）的近红外单光子探测技术在远距离激光雷达等系统中的应用日益广泛，展现了其低功耗、小体积等优势。
2023-06-21 09:37
据麦姆斯咨询报道，近期，NIT（New Imaging Technologies）推出了短波红外（SWIR）成像技术的最新创新：高分辨率短波红外InGaAs传感器，专为应对该领域最苛刻的挑战而设计。
2024-05-21 09:26
近年来， InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）体积小、功耗低、响应速度快，被广泛应用于近红外单光子检测。
2023-06-09 09:34
麻省理工新闻报道称：科学家们已经找到了用于制造更小、更节能的非硅基晶体管的新方法，它就是此前被用于高速通信系统的砷化铟镓（InGaAs）材料。此前该材料给人留下的印象，就是其性能会在较小的尺度下出现滑坡。不过新研究已经找到了问题关键，即所谓的氧化物陷阱，该现象会导致电子在流过晶体管时遭遇限制。
2020-12-10 11:38
该新技术方案，保障InGaAs APD在室温下，即无需制冷亦可实现高效探测。具体可分为百MHz、GHz两种模式的高速室温单光子探测器，尺寸仅为105×100 mm2，配置USB3.0通讯接口，可便捷地接入到系统中。
2023-06-25 15:08
