嗨，对于一个项目，我设计了一个带有 LPS25HBT 组件的 PCB。我们想知道是否有一些关于传感器边界条件的技术建议。我们是否必须设计传感器和边界之间有一定距离的盖子？传感器和盖子之间有一些距离或相对距离？如果 PCB 嵌入树脂中，传感器和树脂之间必须有一个最小距离。
2023-02-03 11:07
一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与RFIC使用的硅或SiGe工艺有着很大区别，因此功放器和滤波器一直作为
2019-06-25 07:04
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与RFIC使用的硅或SiGe工艺有着很大区别，因此功放器和滤波器一直作为
2019-06-26 08:17
LCVCO的调节范围相对于采用HBT、SiGe和MESFET等工艺的振荡器来说要小得多。同时VCO的振荡频率受工艺、电源电压以及温度(PVT)的 影响很大，这需要VCO有足够的调节范围以补偿PVT变化所带来的影响。
2019-08-27 06:07
砷化镓晶圆代工厂。 公司主要从事砷化镓微波集成电路(GaAs MMIC)晶圆之代工业务，提供HBT、pHEMT微波集成电路/离散组件与后端制程的晶圆代工服务，应用于高功率基站、低噪声放大器(LNA
2019-05-27 09:17
Abstract— 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区，InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/µm²时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz，JC = 1.3 mA/µm²时开态击穿电压为BVcbx = 9 V 。典型 = 50。最大工作条件下 (Tj = 125 ºC, JC = 2.0 mA/µm²) 达到MTTF> 1 × 106 小时的寿命使之适用于测试级别的应用。DHBTs 集成了3层互联金属，包括2级电阻和MIM电容。在3”生产线上这种IC 技术已被用于制造Agilent Technologies instrumentation 产品。 关键词—DHBT, 磷化铟, 晶体管, 测试仪器，GaAsSb
2019-07-04 06:52
毫米波长范围（30-300GHz）内除了其较低端外，还没有很好地被利用。而在成像，安全，医疗，和短距离无线传输以及数据速率不断提高的光纤传输中的新应用可能会迅速地改变这种状态[1]，[2]。在过去的三十年里，III-V 技术（GaAs 和InP）已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小，硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用于100-GHz 和100-Gb/s 应用的半导体有源器件进行了综述，介绍了什么是用于甚高频率的半导体技术？接着是两个不同方面具有竞争性的技术现状：分频器，来说明该技术适宜用在高速数字电路中，以及振荡器，用来说明其在模拟电路应用中的性能。
2019-07-31 07:43
对所有的电子元件的制造商而言，测试速度都是很重要的，而对于低价格的二、三引脚元件如二、三极管来说却更是至关重要。在RF测试能够进行之前，必须测试这些器件的直流工作状态。对于二极管来说，包括正向压降、反响击穿电压和结漏电流。对于三极管，这包括不同的结击穿电压、结漏电流、集电极或漏极特性等。选择正确的测试仪器并通过适当的设定，能够极大地加速这些测试过程。
2019-07-30 07:13
在RF测试能够进行之前，必须测试这些器件的直流工作状态。对于二极管来说，包括正向压降、反响击穿电压和结漏电流。对于三极管，这包括不同的结击穿电压、结漏电流、集电极或漏极特性等。选择正确的测试仪器并通过适当的设定，能够极大地加速这些测试过程。
2019-07-22 07:09
