discreteheterojunction bipolar transistor (HBT) suitable for awide range of RF driver applications
2009-05-12 11:35
This Article describes an analytical large-signal HBT model which accurately accounts
2019-08-02 14:35
嗨，对于一个项目，我设计了一个带有 LPS25HBT 组件的 PCB。我们想知道是否有一些关于传感器边界条件的技术建议。我们是否必须设计传感器和边界之间有一定距离的盖子？传感器和盖子之间有一些距离或相对距离？如果 PCB 嵌入树脂中，传感器和树脂之间必须有一个最小距离。
2023-02-03 11:07
transistor (HBT) in the 1900 MHzfrequency band.The IBM43RF0100 HBT is a discrete transistor suitablefor
2009-05-12 11:40
Silicon-Germanium (SiGe) heterojunctionbi-polar transistor (HBT) in the 900 MHz frequencyband.
2009-05-12 11:49
一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与RFIC使用的硅或SiGe工艺有着很大区别，因此功放器和滤波器一直作为
2019-06-25 07:04
This Paper presents a new model extraction methodology: extracting an advanced model via a simplified one. In particular a new methodology of extracting VBIC model via SGP model is detailed.
2019-05-05 08:13
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
LCVCO的调节范围相对于采用HBT、SiGe和MESFET等工艺的振荡器来说要小得多。同时VCO的振荡频率受工艺、电源电压以及温度(PVT)的 影响很大，这需要VCO有足够的调节范围以补偿PVT变化所带来的影响。
2019-08-27 06:07
概述：RF2155是RF Micro Devices生产的一款可编程增益放大器。它主要应用在3V手持式系统，采用先进的砷化镓异质结双极型晶体管(HBT)处理，设计用于模拟蜂窝电话系统发射器的末级线性
2021-05-18 06:44
