QPB3311是一个HBT RF平衡放大器IC,作为能够支持DOCSIS 3.1应用的返回路径放大器工作。
2022-11-03 18:05
PHMET是继MESFET之后最适合用于低噪放设计的管子。FET中的主要噪声源是热杂散,主要是由于管子的通道中的载流子的随机运动造成的。载流子的随机运动导致了电流的不规则变化,由此而产生了噪声。栅极和通道之间存在的耦合电容,使得总噪声是由栅极噪声减去漏极噪声得到。这是FET管子独具的特点,使得其具有优异的低噪声特性。
2023-02-20 15:02
本文采用两个晶体管构成回转器,利用晶体管内部本征电容合成电感。设计了采用不同组态的四种有源电感电路结构,并就其中一个性能较好的电路做了详细的讨论
2011-03-30 11:39
最近合作伙伴发布了基于SiGe HBT工艺的240GHz芯片,在这里给大家介绍一下参数和指标,针对应用会在文末给大家一些方向性参考。 雷达前端TRAˍ240_091是一个集成收发的电路,用于240
2023-11-16 09:19
Avago推出新高性能宽带InGaP HBT增益方块 Avago Technologies(安华高科技)今日宣布推出两款新经济型容易使用的通用InGaP异质结双极晶体管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC
2010-03-04 12:06
在雷达应用这块, 除了早已上市的77-78,79-81GHz雷达,主用于ADAS。同时94GHz雷达应用也已成熟,用于恶劣天气,机场地面监测等。 同时最新开发的应用,实现的频率已经达到240GHz, 60GHz带宽,2.57毫米的分辨率。
2019-09-06 17:38
HMC-C040是一款低噪声10分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,封装在微型密封模块中,带有可更换的SMA连接器。 该器件在0.5至17 GHz的输入频率范围内工作,使用单个
2025-04-03 17:00
10月14日,三安集成连续第四次参加电子设计创新大会(EDICON),与通讯行业同仁共同探讨行业热门话题。本次展会,三安集成携最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工艺,为客户呈现
2020-10-26 09:35
ANADIGICS公司推出的1W InGaP HBT放大器ADR3410,可用在中功率基站,提供业界一流的相邻通道功率抑制(ACPR)大于70dBc,同时满足无线基础设备市场所要求严格的可靠性.ADR3410优化功率放大器,在无线频率频段850MHz到2200MHz 内提供高性能的WCDMA信号。
2021-01-14 07:27
HMC3587LP3BE是一款HBT增益模块MMIC放大器,工作频率范围为4 GHz至10 GHz,采用3x3 mm QFN SMT塑料封装。 该多功能放大器可在50 Ohm应用中用作IF或RF增益
2025-03-20 09:33