本文简单介绍了极紫外光（EUV）掩膜版的相关知识，包括其构造与作用、清洗中的挑战以及相关解决方案。
2024-12-27 09:26
为什么三星、台积电、英特尔，这三家直接竞争对手企业争相投资ASML？
2018-06-29 16:46
随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外 （EUV） 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模，超净的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32
采用曲线掩模的另一个挑战是需要将两个掩模缝合在一起以在晶圆上形成完整的图像。对于高数值孔径 EUV，半场掩模的拼接误差是一个主要问题。
2023-10-23 12:21
套刻计量（Overlay metrology）工具可提高精度，同时提供可接受的吞吐量，解决日益复杂的设备中的竞争要求。
2023-07-10 11:27
技术节点的发展推动着半导体曝光技术解像度(Half Pitch)的发展，ArF液浸曝光技术和EUV曝光技术等的解像度(R)和曝光波长(λ)成正比，和光学的数值孔径(NA，Numerical Aperture)成反比，也就是说，如果要增大解像度，需要在缩短波长的同时，扩大数值孔径。
2019-01-17 09:31
EUV 光刻是以波长为 10-14nm 的极紫外光作为光源的芯片光刻技术，简单来说，就是以极紫外光作“刀”，对芯片上的晶圆进行雕刻，让芯片上的电路变成人们想要的图案。
2022-10-10 11:15
在100μm之内，离子束的分辨力基本不变。而光学曝光的焦深只有1～2μm为。她的主要作用就是在电路上进行修补 ，和生产线制成异常分析或者进行光阻切割。 EUV 光刻技术 在
2018-06-27 15:43
2016年，ASML公司宣布斥资20亿美元收购德国蔡司公司25%的股份，并投资数亿美元合作研发新一代透镜，而ASML这么大手笔投资光学镜头公司就是为了研发新一代EUV
2019-07-13 09:40
目前，商用EUV光刻机采用激光等离子体型-极紫外（LPP-EUV）光源系统，主要由驱动激光器、液滴锡靶、收集镜组成。
2024-02-21 10:18
