功率MOSFET的Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOSFET开通的过程中，由于VDS具有一定的电压，那么Coss中储能
2017-03-28 11:17
以上是Vishay的全桥移相原理分析文档中的一页对t1到t2阶段，文档中的分析是：对这段分析有如下疑问：“This action will start to charge the COSS
2019-07-19 09:07
工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。1. 开通过程中MOSFET开关损耗2. 关断过程中MOSFET开关损耗3. Coss产生的开关损耗4.Coss对开关过程的影响希望大家看了本文，都能深入理解功率MOSFET的开关损耗。
2021-01-30 13:20
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
带隙高于硅半导体的新型材料可缩减芯片尺寸，同时保持相同的隔离电压。 较小的芯片产生较低的寄生电容，并降低了晶体管栅极电荷 (Qg) 及输出电容 (Coss)。相比于标准的硅 MOSFET，在给定的频率
2022-11-16 06:48
如何控制250V,200KHz信号的通断？自己考虑的方案弊端：1、用两个NMOS管分别控制正负半轴，但是NMOS管DS之间的结电容Coss导致交流信号直接导通，无法控制通断。2、可控硅，没有找到可以承受200KHz这么高频率的可控硅器件。还有其他方案可以选用吗？
2020-05-06 12:13
当Vds电压升高时，MOSFET寄生电容总体呈下降的。当Vds电压越低的时候，MOSFET寄生电容越来越大，尤其是Coss电容。那么，随着电压的升高，Coss下降的是最快的，相对来说，Ciss稍微
2021-09-07 15:27
时，初级电流(id)在短时间内为 MOSFET的Coss（即Cgd+Cds)充电,当Coss两端的电压Vds超过输入电压及反射的输出电压之和(Vin+nVo)时，次级二极管导通，初级电感Lp两端的电压被箝位
2018-10-10 20:44
。Infineon CoolMOS CFD2系列以其高击穿电压，快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。1.引言：长期以来， 提升电源系统功率密度，效率以及系统
2018-12-05 09:56
)-output capacitance loss(Coss)因此整體的power loss = switching loss + conduction loss。知道power loss，再透過下列的計算公式
2019-09-17 09:05
