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    德国大陆(CONtinental)公开了用于检测正面碰撞的新型传感器“CISS”(Crash Impact Sound Sensing)的详情。该产品可将车体变形时的固体传播声音作为高频振动

    2019-10-29 06:13

  • 求各路大神推荐合适MOS,万分感谢

    ` N沟道mos耐压值大于30VIds电流25℃大于290A 脉冲电流1000A左右,最好大于1000A Ciss小于12000pF内阻在1.6毫欧左右 用在jumpstart保护器上 ,封装TO263`

    2017-12-08 16:56

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    VDMOS的基本原理一种减小寄生电容的新型VDMOS结构介绍

    2021-04-07 06:58

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    2021-06-18 08:54

  • 关于MOS管的Ciss和Qg的问题

    [size=13.63636302948px]我根据网上的资料了解到,Qg的定义为mos管完全打开时,栅极储存的电量,而我的理解是mos完全打开就是指当VGS=VGS(th)的时候。但是我从一些资料里面了解到,当驱动电流在给CGS充电时,电压就已经达到VGS(th)了,也就是图中的Qgs阶段,电压就已经达到VGS(th)了。那么请问这里的MOS完全打开是指什么时候?

    2015-04-13 10:47

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    2021-04-08 06:17

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    如何更加深入理解MOSFET开关损耗?Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响?

    2021-04-07 06:01

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    我们打开一个MOS管的SPEC,会有很多电气参数,今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。

    2021-01-26 07:48

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    意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。

    2019-08-09 07:28

  • 场效应管击穿问题

    `电路板刚开始用的三个2SK1020(功率300W,电流30A,耐压500V)并联。但运行过程会发热严重,在230V和300V的充电电压状态下,半年击穿了五六次管了,现在我们试着换其它型号的N沟道增强型的管子,试过FQA24N60,IPW65R110CFD,FCH04160F等功率的管子,都能正常使用,但我今天换了IXFH80N65X2(890W.80A,650V)开机出发俩次就击穿,换了三块电路板,试了三次,每次都这样,请问这样是什么原因导致的呢?`

    2017-09-20 09:29