博世工业自动化高集成化多功能连接工业传感解决方案(CISS)自动化工业控制、工程整装车间改造、生产组装流水线、数控机床加工、高速SMT表帖、工业机器人、行业特种车辆包括物流无人值守车间升级换代的刚需
2019-03-26 18:47
来源：罗姆半导体社区 对于IGBT的门极所需的驱动功率的大小计算，我们经常在拿到IGBT规格书的时候会根据其中的Qg或者输入电容 Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一个大致的计算,P=Qg
2022-12-01 11:45
在器件的手册中，会给出MOS管的寄生参数，其中输入电容Ciss就是从输入回路，即端口G和S看进去的电容，MOS管导通时的GS电容，是Cgd和Cds的并联。
2023-01-19 16:00
利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流是近年来自旋电子学领域的研究热点，相关现象被称之为“手性诱导自旋选择性”（Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS）。
2023-08-30 17:14
的等效电路就成了图 2 的样子了。但是，我们从MOSFET 的数据手册中一般看不到这三个参数，手册给出的参数一般是 CISS、COSS和CRSS（见图 1 ）， 图 1 某数据手册关于寄生电容的描述
2021-01-08 14:19
MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻，其源头都在于这三个寄生电容。
2023-05-08 09:08
音响功放领域的MOS管在不断迭代，近年来都是往高效、高功率密度和低失真的发展趋势。对于音响功放影响其失真的因素会有很多，在MOS管领域就会有跨导（gm）、阈值电压（Vth）、极间电容（Ciss、Coss、Crss）、漏源导通电阻（Rds(on)）等参数因素影响。
2025-04-21 14:56
南芯科技SC8886S 是南芯科技推出的第四代升降压控制器芯片，可满足1-4 节电池大功率充电。SC8886S 与SC8886 相比，增强了Driver 的驱动能力，增大了默认死区时间。因此，除对多管并联应用时，不对MOS 的输入栅极电容Ciss、栅极电荷Qgs、栅漏电流Qgd 进行限制。
2022-10-27 15:03
mosfet关断)造成的损耗。此损耗与mosfet的输入电容ciss或反馈电容crss、栅极驱动电压vgs及开关频率fsw成比例。要减小此损耗，就要选择ciss或crss小、阈值电压vgs(th)低的功率
2018-09-20 19:50
的电压保持不变，这一个时间区域称为di/dt，主要由栅极总电阻RG和Ciss电容所控制。其中，米勒平台VGP的电压由跨导GFS和负载电流所决定。
2023-02-16 10:45
