电子发烧友

CISS and fast switching speeds ❏ Excellent thermal stability ❏ Integral Source-Drain diode ❏ High input impedance and high gain

2011-04-02 11:29

%。。与电荷耦合器件（CCD）的主要替代成像技术相比，CISS具有功耗低、集成度高、速度快和集成芯片（甚至像素内部）先进CMOS功能的能力等主要优点。由于最新的技术创新，CISS目前，在图像质量和灵敏度方面与CCD的性能相匹配，甚至在数字单透镜反射、科学仪器和机

2019-02-12 08:00

的，相对来说，Ciss 稍微稳定一 些。这也就是为什么过了平台区之后，管子不怎么震荡了，这也和上 面这幅图表达的含义有关系的上面这幅图相对来说比较关键。它是 MOSFE

2025-04-22 13:31 张飞实战电子官方 企业号

工作结温度（TJ）：-55 to +175℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA 漏极源导通电阻RDS(ON)：80mΩ 栅极阈值电压VGS(TH)：2.8V 输入电容（CISS）：1700pF 二

2023-02-20 15:47

)：1.6V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：930pC@10V输入电容(Ciss@Vds)：23.8pF@30V反向传输电容(Crss@Vds)：1.5pF@30V工作温度：+150℃@(Tj)封

2022-08-19 15:54 MDD辰达半导体 企业号

)：600mV@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：5.4nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)：160pF@10V反向传输电容(Crss@Vds)：25pF@10V工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)封装：

2022-08-19 15:55 MDD辰达半导体 企业号

结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA 输入电容（CISS）：4060pF 二极管正向电压（VSD）：2.7V 反向恢复时间（trr）：420ns   IXY

2023-02-24 09:44

）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW40N65H5的输入电容（Ciss）为2300pF，输出电容（Coss）为43pF。AIGW40N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（I

2023-02-24 09:40

100nA，其 工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为 150A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间td(on)为21ns，

2023-02-24 09:38

±400nA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。FGH40N60SMD的输入电容（Ciss）为1880pF，输出电容（Coss）为180pF。FGH40N60SMD 的电性参数是：二极管正向

2023-02-23 15:32