[size=13.63636302948px]我根据网上的资料了解到，Qg的定义为mos管完全打开时，栅极储存的电量，而我的理解是mos完全打开就是指当VGS=VGS(th)的时候。但是我从一些资料里面了解到，当驱动电流在给CGS充电时，电压就已经达到VGS（th）了，也就是图中的Qgs阶段，电压就已经达到VGS(th)了。那么请问这里的MOS完全打开是指什么时候？
2015-04-13 10:47
根据MOS管的Ciss、Qg、驱动频率是否可以算出需要的驱动电流或者驱动功率？
2022-06-22 17:14
博世工业自动化高集成化多功能连接工业传感解决方案(CISS)自动化工业控制、工程整装车间改造、生产组装流水线、数控机床加工、高速SMT表帖、工业机器人、行业特种车辆包括物流无人值守车间升级换代的刚需
2019-03-26 18:47
来源：罗姆半导体社区 对于IGBT的门极所需的驱动功率的大小计算，我们经常在拿到IGBT规格书的时候会根据其中的Qg或者输入电容 Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一个大致的计算,P=Qg
2022-12-01 11:45
德国大陆（Continental）公司2010年7月7日公开了用于检测汽车正面碰撞的新款传感器“CISS”（Crash Impact Sound Sensing）的技术性能指标。CISS可根据车体
2018-11-05 15:49
CISS and fast switching speeds ❏ Excellent thermal stability ❏ Integral Source-Drain diode ❏ High input impedance and high gain
2011-04-02 11:29
在器件的手册中，会给出MOS管的寄生参数，其中输入电容Ciss就是从输入回路，即端口G和S看进去的电容，MOS管导通时的GS电容，是Cgd和Cds的并联。
2023-01-19 16:00
计划"COMPREHESIVE IMPORT SUPERVISION SCHEME（CISS ），这些国家的进口法规规定，进入这些国家的货物必须由SGS在出口供货国进行装船前检验。SGS介入的目的是协助CISS国家***对海关和（或）外汇管理系统的管理。
2008-07-15 13:57
%。。与电荷耦合器件（CCD）的主要替代成像技术相比，CISS具有功耗低、集成度高、速度快和集成芯片（甚至像素内部）先进CMOS功能的能力等主要优点。由于最新的技术创新，CISS目前，在图像质量和灵敏度方面与CCD的性能相匹配，甚至在数字单透镜反射、科学仪器和机
2019-02-12 08:00
` N沟道mos耐压值大于30VIds电流25℃大于290A 脉冲电流1000A左右，最好大于1000A Ciss小于12000pF内阻在1.6毫欧左右 用在jumpstart保护器上 ，封装TO263`
2017-12-08 16:56
