WBG 如何迈向效率“1”的一步
2022-12-29 10:02
1.2 驱动器设计考虑
2019-04-08 06:21
集成宽带隙(WBG)半导体器件作为硅技术在多种技术应用中的替代品，是一个不断增长的市场，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本节约方面有很大的反响。WBG具有更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。继续阅读，了解更多关于基于
2023-02-02 16:36
：RECOM 众多 DC/DC 模块针对 WBG 栅极驱动器应用进行优化中的一部分 SiC 和 GaN 是宽带隙 (WBG) 半导体材料，因其开关更快且损耗更低，相较于传统硅 (Si) 在电力电子应用领域更具优势。对于需要关键考量高效率和高功率密度的应用来说，这类
2024-09-27 15:05
电力半导体正在显著影响下一代网络的发展。宽带隙(WBG)半导体材料在电信系统中的集成正在成为支持和增强5G基础设施的战略解决方案。在连接性方面，WBG半导体相较于传统硅设备具有显著优势，使其成为
2024-10-29 10:52 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
1.6 仿真及总结
2019-04-18 06:31
1.4 硬开关,软开关案例
2019-04-15 06:05
功率电子技术的快速发展，得益于宽带隙(WBG)半导体材料的进步，尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。与传统硅材料相比，这些材料具有更高的击穿电压、更好的热导率和更快的开关速度。这些特性使得功率
2025-04-23 11:36 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
为动力总成系统寻找高效功率转换解决方案的 EV/HEV 制造商正在通过 WBG 半导体获得性能提升。
2022-08-18 17:37
工程师熟悉电磁干扰、并联和布局，但在从硅基芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。 据chip称，硅（Si）基半导体比宽带隙（WBG）半导体领先十年，主要是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）仍
2022-08-05 14:30
