View the reference design for TCR4S28WBG_Typical Application. http://www.elecfans.com/soft/ has
2021-08-18 14:47
电子发烧友网站提供《用于高密度和高效率电源设计的意法半导体WBG解决方案.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:54
2014-09-11 15:09
2014-10-16 11:32
2014-09-11 15:10
随着宽带的可用性（WBG）设备，很多电源设计人员已经开始研究基于氮化镓上硅场效应管的优点（GaN-on-Si）为各种新的设计和新应用。
2017-06-01 09:04
gate driver with 4-A source and 6-A sink peak current for driving Si MOSFETs, IGBTs and WBG devices, i.e. SiC and GaN transistors.
2016-11-09 15:34
场效应管（MOSFET半导体驱动技术，HEMT）和IGBTs（绝缘栅双极型晶体管）都做得很好的时候提供更为划算，但他们正在努力跟上日益增加的性能要求的宽带隙（WBG）功率半导体集成电路–像GaN和SiC–，取代硅MOSFET作为功率集成电路。
2017-05-09 14:46
过去，绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)在大功率 DC-DC 和 AC-DC 转换领域一直占主导地位，而新型宽禁带 (WBG) 半导体（如碳化硅 (SiC) MOSFET）现已问世，其额定功率高达数十千瓦，在并联时甚至更高。
2022-02-08 15:21
意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率• 上市周期短（距第3代不到2年）意法半导体沟槽技术：长期方法• 意法半导体保持并巩固了领先地位• 相比现有结构的重大工艺改良• 优化和完善的关键步骤
2023-09-08 06:33
