对市场驱动因素的分析表明，加速WBG设备实现的更有效方法的商业采用需要降低组件的成本。这导致了围绕用于控制高效系统的廉价WBG晶体管策略的大量研究。提高转换器工作频率可以减小储能元件的尺寸，这
2023-02-21 16:01
(WBG) 器件中实现更高效率的功率转换，可减少其中一部分问题。要通过 WBG 实现更高的能源效率与电源密度（更小的封装），器件需要以更高的速度切换，并（或）在更高的温度（相对于硅）下运行。这需要低寄生
2018-09-14 14:40
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。那么具体什么是宽禁带技术呢？
2019-07-31 07:42
50多年前硅（Si）集成电路的发明意义重大，为我们当前所享受的现代计算机和电子产品时代铺平了道路。但是正如俗话所说，天下没有不散的筵席，现在存在疑问的是，硅在半导体行业的霸主地位将何时终结？据摩尔定律预测，一个芯片上集成的晶体管数量大约每两年翻一番。对于传统的硅计算来说，摩尔定律不可能无限期持续，主要因为封装如此大量晶体管而导致的散热问题，以及工艺持续缩放而带来泄漏问题。同样，在功率电子领域，为满足市场需求，使用硅的新器件年复一年地实现更大的功率密度和能效，已经越来越成为一个巨大的挑战。从本质上讲，芯片的演进已经接近其基础物理极限。但是，为什么说宽带隙半导体的表现已经超越了硅呢？
2019-07-30 07:27
(SiC) 注2和GaN注3这类宽禁带(WBG)半导体注4的功率元器件。WBG材料的最大特点如表1所示，其绝缘击穿电场强度较高。只要利用这个性质，就可提高与Si元件相同结构时的耐压性能。只要实现有耐压余量
2019-07-08 06:09
地利用我们的能源资源）的宽带隙（WBG）半导体产品，如LMG5200。如果您的设备看起来像此处展示的设备，那么您可能需要升级您的观察仪器和探针。测量WBG半导体的电压转换需要具有足够测量带宽的设备
2018-09-07 14:52
在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11
关于视频压缩系统中大容量存储器的应用设计你想知道的都在这
2021-06-02 06:13
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26
