TSV不仅赋予了芯片纵向维度的集成能力，而且它具有最短的电传输路径以及优异的抗干扰性能。随着摩尔定律慢慢走到尽头，半导体器件的微型化也越来越依赖于集成TSV的先进封装。
2023-07-25 10:09
硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质
2018-08-14 15:39
硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技术是一种通过在硅介质层中制作垂直导通孔并填充导电材料来实现芯片间垂直互连的先进封装技术。
2025-10-13 10:41
本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m，深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。我们华林科纳研究了TSV的电学特
2022-06-16 14:02
在半导体三维集成（3D IC）技术中，硅通孔（TSV）是实现芯片垂直堆叠的核心，但受深宽比限制，传统厚硅片（700-800μm）难以制造直径更小（5-20μm）的TSV，导致芯片面积占比过高，且多层堆叠后总厚度可能达毫米级，与智能手机等应用对芯片厚度的严苛限制（通
2025-07-29 16:48
来源：半导体风向标 从HBM存储器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市场上有许多芯片是用英文称为TSV构建的，TSV是首字母缩写，意为“通过硅通孔”并翻译为via硅的事实，它们垂直地穿过
2023-07-26 10:06
硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术是一项高密度封装技术，它正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。在2.5D/3D IC中TSV被大规模应用于
2022-05-31 15:24
从英特尔所揭露的技术资料可看出，Foveros本身就是一种3D IC技术，透过硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)技术与微凸块(micro-bumps)搭配，把不同的逻辑芯片堆叠起来。
2019-08-14 11:18
