捷捷南通科技是捷捷微电子旗下的子公司，它最近宣布，从2024年1月15日起，将提高其Trench MOS产品线的价格，上调幅度为5%至10%。此举是为了应对当前市场环境和公司运营成本的压力。
2024-01-17 16:44
本文基于仿真和实验方法，开展了 100VN 沟槽 MOSFET 的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈值电压和导通电阻的影响规律并对机理进行了分析，仿真工具同时描述了器件内部的电流路径和碰撞电离率分布。随着沟槽深度增加击穿电压先升后降，导通电阻则表现为相反趋势;击穿电压与注入剂量具有弱相关性，阈值电压随注入剂量增加而升高;击穿电压随着栅氧化层厚度增加整体表现上升趋势，但变化幅度不大，阈值电压与厚度变化表现出强相关性。通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数为沟槽深度 1.5μm，体区注入剂量1.3E13，栅氧化层厚度 700A，通过流片获得器件最终电性参数为击穿电压为 105.6V，阈值电压 2.67V，导通电阻 3.12mR，相较于仿真参数分别有 98%，94%和 75%的变化率，研究过程中相关参数设计及
2022-10-08 09:48
80V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功
2010-02-09 09:26
，IGBT、超结MOSFET等中高压产品也受到了更多关注，不过面对第三代半导体在新能源领域的强势冲击，未来增速面临放缓迹象。 然而在低压领域的硅基MOSFET市场，SGT MOSFET正在获得快速增长。SGT MOSFET在性能上带来了新的升级，并逐步取代传统的Trench（
2024-08-02 00:13
华润上华已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管)工艺平台，各项参数均达到设计要求，成功进入Trench IGBT代工市场。
2011-03-31 09:23
上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench工艺MOSFET, 上海雷卯EMC小哥简单介绍如下。
2023-09-27 09:27
对于现代的数据与电信电源系统，更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点，因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单。
2011-07-14 09:15
关键词：MOSFET , NXP , PBSM5240PF , Trench 恩智浦半导体（NXP）推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道
2019-01-07 12:53
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF
2011-08-16 08:51
