MOSFET，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优 点，通常被用于放大电路或开关电路。MOSFET 按照不同的工艺可分为平面型 Planar MOSFET、沟槽型 Trench MOSFET、屏蔽栅 SGT MOSFET 和超级结 SJ MOSFET。
2023-05-15 16:40
Trench工艺通过其深且窄的沟槽结构、高精度刻蚀与填充、垂直结构集成、兼容性强等特点，能够满足大多数电子设备对高性能、高密度和高可靠性的需求，广泛应用于逆变器、同步整流、电机控制等领域。
2025-01-06 11:40
MOS器件第一个深沟槽（Deep Trench）作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻（RSP）和栅极电荷（Qg）。
2021-05-08 17:47
MOSFET，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点，通常被用于放大电路或开关电路。MOSFET 按照不同的工艺可分为平面型Planar MOSFET、沟槽型 Trench MOSFET、屏蔽栅 SGT MOSFET 和超级结SJMOSFET。
2023-08-28 16:19
针对电控系统中分立器件的需求，上海贝岭研制了基于电荷平衡原理的Split-Gate Trench MOS(简称SGT)，全面优化了器件的开关特性和导通特性，为客户的应用方案带来高效率和稳定性的同时
2022-03-20 14:43
(Trench)MOSFET，部分原因是基于传统硅功率器件的经验，认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而，在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前，至关重要的是要考虑下一代SiCMOSFET技术的进步，这些技术很可能会带来好处，同时避免其固有风险。
2024-12-26 09:55
高端冰箱电源的全面解决方案。通过结合一流的屏蔽栅极Trench Power MOSFET技术和电荷平衡高电压MOSFET技术，已设计出轻负载时效率超过90%的开关电源。
2018-06-12 09:08
