`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
，新能源 工业的控制电路中。按工艺分有VDMOS， trench mosfet， Superjunction mosfet。其中trench 主要用在中低压mosfet， superJunction
2011-03-07 14:30
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-10 09:31 编辑 英飞凌IKW系列 IGBT采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能，极低的VCEsat和低EMI，是不间断电源应用的理想选择，也可用于太阳能逆变器应用。 IKW15N120H3，IKW30N60H3 IGBT均为高速DuoPack的一部分，并配有快速恢复的反并联二极管。推荐产品：IKW30N60H3；IKW15N120H3Infineon 其它相关产品请 点击此处 前往了解特性：一流的开关性能：可实现低于500μJ的总开关损耗最高结温：175°C包装类型：PG-TO247-3符合JEDEC对目标应用的要求无铅镀铅; 符合RoHS标准应用：不间断电源；焊接转换器；具有高开关频率的转换器封装图：`
2019-06-10 09:23
DescriptionThe SL3054 us es advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge
2023-02-16 10:14
哪位大侠帮忙从原理上解释下啊，谢谢了！！
2012-07-02 22:40
请问哪位大侠能帮忙从原理上解释下，谢谢！
2012-07-01 18:18
TMC236是一款智能电源微双极步进电机驱动器，它提供了一个SPI™接口，以及经典的模拟/数字控制。一个全套的保护和诊断功能，使得该器件非常坚固 。集成的低RDS的Trench FET功率
2021-04-15 07:31
Trench结构，并且在苛刻的开关应用中提供卓越的性能，提供低导通电压和最小的开关损耗。 与标准TO-247-3L封装相比，安森美半导体的TO-247-4L IGBT封装采用TO-247-4L格式
2020-07-07 08:40
11 SPT和SPT+ IGBT结构对比图12 SPT和SPT+ IGBT内部载流子分布对比5.2 Trench + Field-StopTrench栅代替平面栅后在不增加Eoff的情况下显著降低
2015-12-24 18:23
`铣槽搅拌机采用TRD(Trench cutting Re-mixing Deep Wall method)工法即水泥加固土地下连续墙工法，主机可沿造墙的方向移动，主机所带的链锯式刀具插入地基中并沿
2016-07-22 15:09
